GAGG:Ce Sintillator, GAGG Crystal, GAGG سنٽيليشن ڪرسٽل
فائدو
● سٺي روڪڻ جي طاقت
● اعلي روشني
● گھٽ afterglow
● فاسٽ ڊڪي وقت
درخواست
● گاما ڪئميرا
● PET، PEM، SPECT، CT
● X-ray ۽ گاما ري جي سڃاڻپ
● اعلي توانائي ڪنٽينر جي چڪاس
ملڪيتون
| قسم | گيگ-ايڇ ايل | GAGG بيلنس | GAGG-FD |
| کرسٽل سسٽم | ڪڇ | ڪڇ | ڪڇ |
| کثافت (g/cm3) | 6.6 | 6.6 | 6.6 |
| هلڪو پيداوار (فوٽونز/ڪيف) | 60 | 50 | 30 |
| زوال جو وقت | ≤150 | ≤90 | ≤48 |
| مرڪز موج جي ڊيگهه (nm) | 530 | 530 | 530 |
| پگھلڻ وارو نقطو (℃) | 2105 ℃ | 2105 ℃ | 2105 ℃ |
| Atomic Coefficient | 54 | 54 | 54 |
| توانائي جي قرارداد | 5٪ | 6% | 7% |
| خود تابڪاري | No | No | No |
| هائگروسکوپيڪ | No | No | No |
پيداوار جي وضاحت
GAGG:Ce (Gd3Al2Ga3O12) گاڊولينيم ايلومينيم گيليم گارنٽ سيريم سان گڏ.اهو سنگل فوٽون جي اخراج ڪمپيوٽيڊ ٽوموگرافي (SPECT)، گاما-ري ۽ ڪامپٽن اليڪٽران جي سڃاڻپ لاءِ هڪ نئون اسڪينٽيلٽر آهي.Cerium doped GAGG:Ce ۾ ڪيتريون ئي خاصيتون آھن جيڪي ان کي گاما اسپيڪٽروڪوپي ۽ ميڊيڪل اميجنگ ايپليڪيشنن لاءِ موزون بڻائين ٿيون.530 nm جي لڳ ڀڳ هڪ اعلي فوٽوون پيداوار ۽ اخراج جي چوٽي مواد کي سلڪون فوٽو ملٽيپليئر ڊيڪٽرز ذريعي پڙهڻ لاءِ مناسب بڻائي ٿي.ايپيڪ کرسٽل 3 قسم جا GAGG تيار ڪيا: سي کرسٽل، تيز خرابي واري وقت سان (GAGG-FD) کرسٽل، عام (GAGG-بيلنس) کرسٽل، اعليٰ لائٽ آئوٽ (GAGG-HL) کرسٽل، مختلف فيلڊ ۾ ڪسٽمر لاءِ.GAGG:Ce اعلي توانائي جي صنعتي ميدان ۾ هڪ تمام پرجوش اسڪينٽيليٽر آهي، جڏهن ان کي 115kv، 3mA ۽ تابڪاري جو سرچشمو ڪريسٽل کان 150 ملي ميٽر جي مفاصلي تي لائف ٽيسٽ ۾ ڏيکاريو ويو، 20 ڪلاڪن کان پوءِ ڪارڪردگي لڳ ڀڳ ساڳي آهي جيئن تازو هڪ.ان جو مطلب اهو آهي ته X-ray شعاعن جي هيٺان اعلي دوز کي برداشت ڪرڻ جو سٺو امڪان آهي، يقينا اهو شعاع جي حالتن تي منحصر آهي ۽ NDT لاء GAGG سان اڳتي وڌڻ جي صورت ۾ وڌيڪ صحيح ٽيسٽ ڪرڻ جي ضرورت آهي.اڪيلو GAGG جي ڀرسان: سي ڪرسٽل، اسان ان کي لڪير ۽ 2 طول و عرض واري صف ۾ ٺاھڻ جي قابل آهيون، پکسل سائيز ۽ جدا ڪندڙ ضرورت جي بنياد تي حاصل ڪري سگھجي ٿو.اسان سيرامڪ GAGG:Ce لاءِ ٽيڪنالاجي پڻ ٺاهي آهي، ان ۾ بهتر اتفاقي حل ڪرڻ جو وقت (CRT)، تيز خرابي جو وقت ۽ وڌيڪ روشني جي پيداوار آهي.
توانائي جي قرارداد: GAGG Dia2 "x2"، 8.2٪ Cs137@662Kev
چمڪندڙ ڪارڪردگي
روشني جي پيداوار ڪارڪردگي
وقت جو حل: گيگ فاسٽ ڊڪي ٽائيم
(a) وقت جو حل: CRT = 193ps (FWHM، توانائي ونڊو: [440keV 550keV])
(a) ٽائمنگ ريزوليوشن بمقابله.تعصب وولٹیج: (توانائي ونڊو: [440keV 550keV])
مهرباني ڪري نوٽ ڪريو ته GAGG جي چوٽي جو اخراج 520nm آهي جڏهن ته SiPM سينسر 420nm چوٽي جي اخراج سان ڪرسٽل لاءِ ٺهيل آهن.520nm لاءِ PDE 420nm لاءِ PDE جي مقابلي ۾ 30٪ گھٽ آھي.GAGG جو CRT 193ps (FWHM) کان 161.5ps (FWHM) تائين بهتر ٿي سگهي ٿو جيڪڏهن 520nm لاءِ SiPM سينسر جو PDE 420nm لاءِ PDE سان ملندو.
