LiAlO2 Substrate
وضاحت
LiAlO2 هڪ بهترين فلم ڪرسٽل سبسٽريٽ آهي.
ملڪيتون
| کرسٽل جي جوڙجڪ | M4 |
| يونٽ سيل مسلسل | a = 5.17 A c = 6.26 A |
| ڳري پوائنٽ (℃) | 1900 |
| کثافت (g/cm3) | 2.62 |
| سختي (Mho) | 7.5 |
| پالش ڪرڻ | اڪيلو يا ٻٽي يا بغير |
| کرسٽل اورينٽيشن | <100> 2001> |
LiAlO2 سبسٽريٽ جي تعريف
LiAlO2 ذيلي ذيلي ذيلي ذيلي ذيلي ذخيري کي ليتيم ايلومينيم آڪسائيڊ (LiAlO2) مان ٺهيل آهي.LiAlO2 هڪ ڪرسٽل مرڪب آهي جيڪو خلائي گروپ R3m سان تعلق رکي ٿو ۽ هڪ ٽڪنڊي ڪرسٽل ساخت آهي.
LiAlO2 ذيلي ذخيرو مختلف قسم جي ايپليڪيشنن ۾ استعمال ڪيا ويا آهن، جن ۾ پتلي فلم جي واڌ، ايپيٽيڪسيل پرت، ۽ اليڪٽرانڪ، آپٽو اليڪٽرڪ، ۽ فوٽوونڪ ڊوائيسز لاء هيٽرسٽرڪٽرز شامل آهن.ان جي شاندار جسماني ۽ ڪيميائي مال جي ڪري، ان کي خاص طور تي وسيع bandgap semiconductor ڊوائيسز جي ترقي لاء مناسب آهي.
LiAlO2 substrates جي مکيه ايپليڪيشنن مان هڪ Gallium Nitride (GaN) تي ٻڌل ڊوائيسز جي ميدان ۾ آهي جهڙوڪ هاء اليڪٽران موبلٽي ٽرانسسٽرز (HEMTs) ۽ لائيٽ ايميٽنگ ڊيوڊس (LEDs).LiAlO2 ۽ GaN جي وچ ۾ لٽيس بي ميل نسبتا ننڍڙو آهي، ان کي GaN پتلي فلمن جي epitaxial واڌ لاء هڪ مناسب ذيلي ذخيرو ٺاهيندي.LiAlO2 سبسٽرٽ GaN جمع ڪرڻ لاءِ اعليٰ معيار جي ٽيمپليٽ مهيا ڪري ٿي، جنهن جي نتيجي ۾ ڊوائيس جي ڪارڪردگي ۽ اعتبار ۾ بهتري اچي ٿي.
LiAlO2 ذيلي ذخيرا ٻين شعبن ۾ پڻ استعمال ڪيا ويا آهن جهڙوڪ ميموري ڊوائيسز لاء فيرو اليڪٽرڪ مواد جي ترقي، پيزو اليڪٽرڪ ڊوائيسز جي ترقي، ۽ سولڊ اسٽيٽ بيٽرين جي ٺاھڻ.انهن جي منفرد ملڪيت، جهڙوڪ اعلي حرارتي چالکائي، سٺي ميڪيڪل استحڪام، ۽ گهٽ ڊليڪٽرڪ مسلسل، انهن کي انهن ايپليڪيشنن ۾ فائدا ڏيو.
خلاصو، LiAlO2 ذيلي ذيلي ذيلي ذخيرو ليتيم ايلومينيم آڪسائيڊ مان ٺهيل آهي.LiAlO2 ذيلي ذخيرو مختلف ايپليڪيشنن ۾ استعمال ٿيندا آهن، خاص طور تي GaN-بنياد ڊوائيسز جي ترقي، ۽ ٻين اليڪٽرانڪ، optoelectronic ۽ photonic ڊوائيسز جي ترقي لاء.انهن وٽ گهربل جسماني ۽ ڪيميائي ملڪيتون آهن جيڪي انهن کي پتلي فلمن ۽ هيٽرسٽرڪچرز جي جمع ڪرڻ لاءِ موزون بڻائين ٿيون ۽ ڊوائيس جي ڪارڪردگي کي بهتر بڻائين ٿيون.
